statistiche ricercatore

Nazione	#
US - Stati Uniti d'America	1.566
CN - Cina	265
SG - Singapore	224
GB - Regno Unito	208
SE - Svezia	95
HK - Hong Kong	74
BR - Brasile	71
DE - Germania	68
IT - Italia	50
RU - Federazione Russa	43
UA - Ucraina	42
TR - Turchia	41
KR - Corea	34
VN - Vietnam	29
FI - Finlandia	27
BG - Bulgaria	13
CA - Canada	11
FR - Francia	11
JP - Giappone	8
BD - Bangladesh	6
IN - India	6
MX - Messico	6
PL - Polonia	5
AR - Argentina	4
BE - Belgio	4
ES - Italia	4
TW - Taiwan	4
ZA - Sudafrica	4
AE - Emirati Arabi Uniti	3
EC - Ecuador	3
IE - Irlanda	3
IL - Israele	3
LT - Lituania	3
AT - Austria	2
AU - Australia	2
CH - Svizzera	2
CL - Cile	2
DK - Danimarca	2
JM - Giamaica	2
LK - Sri Lanka	2
MY - Malesia	2
PA - Panama	2
PH - Filippine	2
UZ - Uzbekistan	2
AM - Armenia	1
CY - Cipro	1
DO - Repubblica Dominicana	1
GD - Grenada	1
GR - Grecia	1
ID - Indonesia	1
KE - Kenya	1
KW - Kuwait	1
KZ - Kazakistan	1
LA - Repubblica Popolare Democratica del Laos	1
LU - Lussemburgo	1
NG - Nigeria	1
NL - Olanda	1
NO - Norvegia	1
NP - Nepal	1
PE - Perù	1
PK - Pakistan	1
PS - Palestinian Territory	1
PT - Portogallo	1
PY - Paraguay	1
SA - Arabia Saudita	1
TM - Turkmenistan	1
VE - Venezuela	1
Totale	2.983

Nome	#
A 2.4-GHz wireless alpha-ray sensor for remote monitoring and spectroscopy	330
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies	297
Functional test of a Radon sensor based on a high-resistivity-silicon BJT detector	265
TCAD optimization of field-plated InAlAs-InGaAs HEMTs	254
Fabrication of novel high frequency and high breakdown InAlAs-InGaAs pHEMTs	252
Investigation of Efficiency-Droop Mechanisms in Multi-Quantum-Well InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes	242
Design and characterization of current-assisted photonic demodulators in 0.18-um CMOS technology	229
Performance of a Radon Sensor Based on a BJT Detector on High-Resistivity Silicon	227
Design of field-plated InP-based HEMTs	201
Analysis of efficiency-droop mechanisms in GaN-based light-emitting diodes, related technological solutions and discriminating experiments	181
Improvement of breakdown and DC-to-pulse dispersion properties in field-plated InGaAs-InAlAs pHEMTs	163
Analysis of efficiency-droop mechanisms in single-quantum-well InGaN/GaN light-emitting diodes	158
Dispositivo per la ripresa di immagini 3D basato su tecnologiaCMOS 180nm e telemetria a modulazione sinusoidale	154
Tecnologie e Dispositivi a Semiconduttore Avanzati per Applicazioni Optoelettroniche	54
Totale	3.007

	Totale	Lug	Ago	Sett	Ott	Nov	Dic	Gen	Feb	Mar	Apr	Mag	Giu
2020/2021	181	0	0	0	0	0	13	40	35	31	41	5	16
2021/2022	266	2	26	47	5	5	26	12	11	28	15	65	24
2022/2023	288	19	45	24	33	30	44	2	34	34	1	8	14
2023/2024	145	5	13	16	26	37	20	7	9	4	3	2	3
2024/2025	669	24	11	3	44	118	80	43	44	88	13	106	95
2025/2026	515	55	72	113	107	153	15	0	0	0	0	0	0
Totale													3.007